Material information
【タイトル】
超LSIレジストの分子設計
【シリーズ名】
表面・薄膜分子設計シリーズ  ≪再検索≫
【著者名等】
津田穣/著  ≪再検索≫
【出版】
共立出版 1990.4
【大きさ等】
19cm 117p
【NDC分類】
578.4
【件名】
感光性樹脂  ≪再検索≫
【件名】
集積回路  ≪再検索≫
【書誌番号】
3-0190350260
【注記】
叢書の編者:日本表面科学会
【目次】
序章 なぜ、レジストの研究をするのか?;第1章 超LSIレジストの要件;第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計;第3章 ネガ型レジストの分子設計;第4章 高感度化の分子設計;第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計;第6章 解像力向上技術
【内容】
文献:p110〜113
【ISBN】
4-320-08511-6

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0003242900
中央
578.4 /70 

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書庫(自然科学中央)

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