資料詳細

【図書】 半導体研究４６巻

超ＬＳＩ技術 -- ２４ --
半導体研究振興会／〔編〕 -- 工業調査会 -- ２０００．０５ -- ２７ｃｍ -- ３４５ｐ

タイトル	半導体研究４６巻
各巻タイトル	超ＬＳＩ技術２４
著者名等	半導体研究振興会／〔編〕
出版	工業調査会２０００．０５
大きさ等	２７ｃｍ３４５ｐ
分類	549.8
件名	半導体
内容	索引あり
要旨	集積回路技術が急速に進歩し、０．１μｍの最小加工寸法をもつ集積回路の実現も間近に迫っていることから、本巻では、０．１μｍ時代へ向けてのプロセス、デバイス、回路技術という視点から０．１μｍ集積回路実現の鍵を握ると思われる重要技術を取り上げ、研究開発の現状と実用化の可能性について言及している。
目次	本文（高速低消費電力部分空乏型ＳＯＩ‐ＣＭＯＳ技術；極浅接合形成技術；二次宇宙線の中性子が引き起こすソフトエラー；高速ＤＲＡＭ設計技術；ＤＲＡＭ・論理混載ＬＳＩアーキテクチャ；ＤＲＡＭ混載ＬＳＩ技術；ＡｒＦレーザ露光技術（露光装置；フォトレジスト材料）；高精度プラズマエッチング技術）；パネルディスカッション
ISBN(13)、ISBN	4-7693-1186-9
書誌番号	1100028865
URL	https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1100028865

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549.8/1/46	一般書	利用可	-	2019822101