Yuhua Cheng /〔著〕, Chenming Hu /〔著〕, 三洋電機(株) /〔ほか〕共訳, 鳥谷部達 /監修,   ,     -- 丸善 -- 2002.02 -- 21cm -- 467p

資料詳細

タイトル MOSFETのモデリングとBSIM 3ユーザーズガイド
著者名等 Yuhua Cheng /〔著〕, Chenming Hu /〔著〕, 三洋電機(株) /〔ほか〕共訳, 鳥谷部達 /監修,   ,    
出版 丸善 2002.02
大きさ等 21cm 467p
分類 549.7
件名 集積回路
注記 MOSFET modeling & BSIM 3 user’s guide.
内容 文献あり 索引あり
要旨 LSIデバイス技術はナノメーター領域に近づいているが、本書は、この回路シミュレーションモデルの決定版といわれているBSIM3についての解説書である。デバイス研究者、回路設計者、デバイス技術者の実用書としてのみならず、回路設計・デバイス設計関連の研究室に在籍する学部4年生~大学院生らの参考書としても有用。さらに、LSIデバイス技術者の、BSIM3の研修テキストとして最適である。
目次 序論;現代のMOSFETにおける重要な物理現象;しきい値電圧モデル;I‐Vモデル;キャパシタンスモデル;基板電流モデル;ノイズモデル;ソース・ドレイン寄生素子モデル;温度依存性モデル;非準静的(Non‐quasi Static:NQS)モデル;BSIM3v3モデルの仕組み;モデルのテスト;モデルパラメータ抽出;RF,および他分野へのコンパクトモデルの応用
ISBN(13)、ISBN    4-621-04983-6
書誌番号 1102011596

所蔵

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.7/234 一般書 利用可 - 2021241205 iLisvirtual