シリーズ:結晶成長のダイナミクス --
中嶋一雄 /責任編集   -- 共立出版 -- 2002.05 -- 22cm -- 210p

資料詳細

タイトル エピタキシャル成長のメカニズム
シリーズ名 シリーズ:結晶成長のダイナミクス
著者名等 中嶋一雄 /責任編集  
出版 共立出版 2002.05
大きさ等 22cm 210p
分類 549.8
件名 半導体 , 結晶成長
注記 シリーズの編者:西永頌,宮澤信太郎,佐藤清隆
内容 文献あり 索引あり
要旨 本巻では、エピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、エピタキシャル成長にとって最も基本となり重要なテーマを取り上げ解説している。成長方法は、最も基本となる液相エピタキシャル成長、気相エピタキシャル成長、分子線エピタキシャル成長の3方法を取り上げた。
目次 1 基本概念(エピタキシャル成長の基礎;結晶成長に影響を与える因子;成長モード);2 エピタキシャル成長の熱力学(固液平衡からの成長(LPE);固気平衡からの成長);3 結晶成長のカイネティクス(成長表面のカイネティクス;溶液成長における溶質元素の拡散;気相成長の物質輸送効果);4 基板の表面状態とエピタキシャル成長(面方位とエピタキシャル成長;微傾斜面とエピタキシー;サーファクタントを利用した成長);5 ヘテロエピタキシャル成長(ヘテロエピタキシャル成長と格子整合;ヘテロ構造の応力・歪み)
ISBN(13)、ISBN    4-320-03412-0
書誌番号 1102033303

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 4階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2027223829 iLisvirtual