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【図書】 ＳｉＣ素子の基礎と応用

荒井和雄 ／共編, 吉田貞史 ／共編   -- オーム社 -- ２００３．３ -- ２２ｃｍ -- ２７０ｐ

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タイトル ＳｉＣ素子の基礎と応用
著者名等 荒井和雄 ／共編, 吉田貞史 ／共編  
出版 オーム社 ２００３．３
大きさ等 ２２ｃｍ ２７０ｐ
分類 549.8
件名 半導体
注記 索引あり
要旨 本書は、ＮＥＤＯ「超低損失電力素子技術開発」プロジェクトの成果を主体として、ＳｉＣ基盤研究の全容とＳｉＣデバイスの開発例、パワーデバイスとしての応用展開を、研究開発の息吹が伝わるように構成した。すなわち、記述を、（１）基礎事項、（２）技術フロント、（３）Ｑ＆Ａに分け、（１）では技術開発の基礎と国内外を含めた開発動向および課題を、（２）ではプロジェクトにおいて開発された技術を中心に開発の最前線の技術成果を記載し、（３）ではまだ明確な回答が得られていない重要な問題点を取り上げ、その解決の見通しや方向を論じた。またＧａＮやダイヤモンドといった他のワイドギャップ半導体を含む派生的な技術の解説やトピックスは囲み記事とした。
目次 第１章　パワーエレクトロニクスの新展開；第２章　ＳｉＣバルク単結晶成長技術；第３章　デバイスプロセス技術；第４章　物性・プロセス評価；第５章　デバイス設計・評価；第６章　デバイス実証；第７章　応用と波及効果；第８章　今後の展開
ISBN(13)、ISBN 　　 4-274-94885-4
書誌番号 1103021997
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1103021997

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 ４階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2028963265 iLisvirtual

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