半導体デバイスシリーズ --
平本俊郎 /編著, 内田建 /著, 杉井信之 /著, 竹内潔 /著   -- 丸善 -- 2009.11 -- 21cm -- 227p

資料詳細

タイトル 集積ナノデバイス
シリーズ名 半導体デバイスシリーズ
著者名等 平本俊郎 /編著, 内田建 /著, 杉井信之 /著, 竹内潔 /著  
出版 丸善 2009.11
大きさ等 21cm 227p
分類 549.7
件名 集積回路
注記 文献あり 索引あり
内容紹介 第一線の著者陣による半導体工学の本格的専門書シリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法について、深くポイントを掘り下げて解説する。
要旨 変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
目次 1 序論(スケーリング則とムーアの法則;集積ナノデバイスの諸問題 ほか);2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作;MOSトランジスタの1次近似モデル ほか);3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ;移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料));4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題;微細MOSFETの信頼性 ほか);5 将来展望(将来に向けての技術動向;集積ナノデバイスマップ ほか)
ISBN(13)、ISBN 978-4-621-08208-9   4-621-08208-6
書誌番号 1109088783

所蔵

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 4階自然科学 549.7 一般書 予約受取待 - 2040580630 iLisvirtual