資料詳細

【図書】 メモリデバイスイメージセンサ

半導体デバイスシリーズ --
角南英夫／編著, 川人祥二／編著, 有本和民／〔ほか〕著 -- 丸善 -- ２００９．１２ -- ２１ｃｍ -- ２９２ｐ

タイトル	メモリデバイスイメージセンサ
シリーズ名	半導体デバイスシリーズ
著者名等	角南英夫／編著, 川人祥二／編著, 有本和民／〔ほか〕著
出版	丸善２００９．１２
大きさ等	２１ｃｍ２９２ｐ
分類	549.7
件名	集積回路
注記	文献あり　索引あり
内容紹介	半導体デバイスの中でも、特に発展が著しい「メモリデバイス」と「イメージセンサ」。本書では、それぞれの動作原理や特性、しくみ、今後の課題や将来の展望までを、技術者向けにわかりやすく解説する。
要旨	メモリデバイスとイメージセンサについて、本質（動作原理、特性）を十分な深さで理解できるよう解説。第１編では、ＤＲＡＭからフラッシュメモリへの研究開発の流れ、そしてＦＥＴの代替デバイスの開発状況について重要なポイントが理解できる。第２編では、市場を二分するＣＣＤと、ＣＭＯＳイメージセンサの実像をあますことなく明らかにする。
目次	第１編　メモリデバイス（メモリデバイスの基礎；量産中のメモリ；小規模生産中のメモリ；今後に期待されるメモリ）；第２編　イメージセンサ（イメージセンサの基礎；ＣＣＤイメージセンサ；ＣＭＯＳイメージセンサ）
ISBN(13)、ISBN	978-4-621-08213-3　　 4-621-08213-2
書誌番号	1109096249

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	４階自然科学 Map		549.7	一般書	利用可	-	2043877383