半導体の高機能化技術 --
傳田精一 /著   -- 東京電機大学出版局 -- 2011.4 -- 21cm -- 237p

資料詳細

タイトル シリコン貫通電極TSV
副書名 半導体の高機能化技術
著者名等 傳田精一 /著  
出版 東京電機大学出版局 2011.4
大きさ等 21cm 237p
分類 549.8
件名 半導体
注記 文献あり 索引あり
著者紹介 信州大学工学部卒。通産省電気試験所主任研究官。サンケン電気常務取締役。コニカ常務取締役。エレクトロニクス実装学会名誉顧問。長野県工科短大客員教授。長野実装フォーラム名誉理事。
内容紹介 TSV技術とは、半導体を三次元に実装する際に用いる技術であり、半導体の高集積化、高速信号伝送、多量データ通信、省電力が可能になる。本書は、次世代の技術を支えるTSV技術をわかりやすく解説する。
目次 第1章 シリコン貫通電極の重要性;第2章 TSVの基本製作プロセス;第3章 TSV作成技術;第4章 代表的なTSV応用積層デバイス;第5章 シングルTSVイメージセンサ;第6章 シリコンTSVインターポーザ;第7章 TSVウエハとチップの積層;第8章 TSVの電気的特性と熱特性
ISBN(13)、ISBN 978-4-501-32800-9   4-501-32800-2
書誌番号 1111024703

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 4階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2046397226 iLisvirtual