第2版 --
松波弘之 /編著, 大谷昇 /編著, 木本恒暢 /編著, 中村孝 /編著   -- 日刊工業新聞社 -- 2011.9 -- 21cm -- 533p

資料詳細

タイトル 半導体SiC技術と応用
版情報 第2版
著者名等 松波弘之 /編著, 大谷昇 /編著, 木本恒暢 /編著, 中村孝 /編著  
出版 日刊工業新聞社 2011.9
大きさ等 21cm 533p
分類 549.8
件名 半導体
注記 索引あり
目次 1 シリコンカーバイド(SiC)技術の進展;2 SiCの特徴;3 SiC単結晶の結晶成長技術;4 SiC単結晶のウェハ加工技術;5 SiCエピタキシャル成長技術;6 SiCの評価技術;7 SiCのプロセス技術;8 デバイス;9 SiCを用いたシステム;10 各分野におけるSiCへの期待
ISBN(13)、ISBN 978-4-526-06754-9   4-526-06754-7
書誌番号 1111068087

所蔵

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中央 4階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2047089991 iLisvirtual