第2版 --
タウア /〔著〕, ニン /〔著〕, 芝原健太郎 /監訳, 宮本恭幸 /監訳, 内田建 /監訳   -- 丸善出版 -- 2013.1 -- 21cm -- 721p

資料詳細

タイトル 最新VLSIの基礎
版情報 第2版
著者名等 タウア /〔著〕, ニン /〔著〕, 芝原健太郎 /監訳, 宮本恭幸 /監訳, 内田建 /監訳  
出版 丸善出版 2013.1
大きさ等 21cm 721p
分類 549.7
件名 集積回路
注記 Fundamentals of modern VLSI devices.2nd ed.の翻訳
注記 初版:丸善2002年刊
内容 文献あり 索引あり
内容紹介 半導体分野での世界的権威による最新半導体のバイブル。初版より、すべての章が加筆改訂され、さらに新たな2つの章を追加。電子デバイスに携わる技術者、研究者、学生の必携の1冊。
要旨 初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
目次 序章;デバイス物理の基礎;MOSFETデバイス;CMOSデバイス設計;CMOS性能因子;バイポーラデバイス;メモリデバイス;SOIデバイス〔ほか〕
ISBN(13)、ISBN 978-4-621-08581-3   4-621-08581-6
書誌番号 1113016261

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 4階自然科学 Map 549.7 一般書 利用可 - 2050029967 iLisvirtual