李〔キョン〕烈 /著   -- 日刊工業新聞社 -- 2013.12 -- 21cm -- 153p

資料詳細

タイトル 図で見てわかるパワーMOSFET〈技術と回路〉入門
著者名等 李〔キョン〕烈 /著  
出版 日刊工業新聞社 2013.12
大きさ等 21cm 153p
分類 549.6
件名 トランジスター
注記 文献あり 索引あり
著者紹介 韓国外国語大学校卒。1999~2002年SEIKO EPSON Korea Branch:半導体の営業。02~03年沖電気工業(株):半導体のマーケティングなどを経て、12年~現在インフィニオンテクノロジーズジャパン(株):アプリケーションエンジニア。
内容紹介 半導体の基礎とダイオードの特性から、MOSFETの酸化膜構造と動作、構造及び各パラメータの特性を説明。基礎的な説明とともに、実際に使用する時に各パラメータをどう使い、設計時にどう応用するかも解説する。
目次 第1章 MOSFETを理解するための半導体の基礎;第2章 MOSFETの概要;第3章 MOSFETの絶対最大定格;第4章 電気的特性;第5章 特性グラフ;第6章 MOSFET使用時の注意点;第7章 MOSFETの応用
ISBN(13)、ISBN 978-4-526-07172-0   4-526-07172-2
書誌番号 1113116876
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1113116876

所蔵

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 4階自然科学 Map 549.6 一般書 利用可 - 2051803461 iLisvirtual