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【図書】 ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の実装と信頼性評価技術

菅沼克昭 ／編著   -- 日刊工業新聞社 -- ２０１４．１２ -- ２１ｃｍ -- ２４７ｐ

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タイトル ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の実装と信頼性評価技術
著者名等 菅沼克昭 ／編著  
出版 日刊工業新聞社 ２０１４．１２
大きさ等 ２１ｃｍ ２４７ｐ
分類 549.8
件名 半導体 , 信頼性（工学）
注記 索引あり
内容紹介 ＳｉＣやＧａＮなどの次世代パワーデバイスの実用化が進むためには、ワイドギャップ半導体の信頼性が確立されることが重要。そのためには、鉛フリー・ダイアタッチ技術や新しい配線技術が必要。本書は、本技術を実装面で確立するためのこれらの技術及び信頼性の評価手法などを解説。
目次 第１章　緒言；第２章　ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの現状と実装；第３章　ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の開発；第４章　ワイヤボンド技術；第５章　ダイアタッチ技術；第６章　モールド樹脂技術；第７章　基板技術；第８章　冷却技術；第９章　信頼性評価・検査技術
ISBN(13)、ISBN 978-4-526-07339-7　　 4-526-07339-3
書誌番号 1113229132

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 ４階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2053439970 iLisvirtual

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