山本秀和 /著   -- コロナ社 -- 2015.3 -- 21cm -- 206p

資料詳細

タイトル ワイドギャップ半導体パワーデバイス
著者名等 山本秀和 /著  
出版 コロナ社 2015.3
大きさ等 21cm 206p
分類 549.8
件名 半導体
注記 並列タイトル:Wide-bandgap Semiconductor Power Devices
注記 文献あり 索引あり
著者紹介 1979年北海道大学工学部卒。84年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、三菱電機(株)勤務。2010年千葉工業大学教授、現在に至る。
内容紹介 ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優れた性能と課題を詳細に説明。特に結晶製造の難しさは丁寧に解説し、結晶構造の違いや結晶欠陥の形成原理とその評価法に関しても述べた。
目次 基礎編(電力変換とパワーデバイス;次世代パワーデバイスへの要求;パワーチップの構造と製造方法 ほか);結晶編(原子構造と結晶構造;半導体結晶と物性;半導体中の結晶欠陥 ほか);デバイス編(SiCパワーデバイス;GaNパワーデバイス;そのほかのワイドギャップ半導体パワーデバイス ほか)
ISBN(13)、ISBN 978-4-339-00875-3   4-339-00875-3
書誌番号 1113248471
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1113248471

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 4階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2053872908 iLisvirtual