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【図書】 半導体デバイスの不良・故障解析技術

信頼性技術叢書 --
二川清 ／編著, 上田修 ／著, 山本秀和 ／著   -- 日科技連出版社 -- ２０１９．１２ -- ２１ｃｍ -- ２１８ｐ

資料詳細

タイトル 半導体デバイスの不良・故障解析技術
シリーズ名 信頼性技術叢書
著者名等 二川清 ／編著, 上田修 ／著, 山本秀和 ／著  
出版 日科技連出版社 ２０１９．１２
大きさ等 ２１ｃｍ ２１８ｐ
分類 549.8
件名 半導体－品質管理 , 信頼性（工学）
注記 索引あり
著者紹介 【二川清】１９４９年大阪市生まれ。大阪大学大学院基礎工学研究科物理系修士課程修了。工学博士。ＮＥＣ、ＮＥＣエレクトロニクスにて半導体の信頼性・故障解析技術の実務と研究開発に従事。大阪大学特任教授、金沢工業大学客員教授、日本信頼性学会副会長などを歴任。現在、芝浦工業大学非常勤講師。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
要旨 本書が対象とする半導体デバイス（以下デバイス）はシリコン集積回路（ＬＳＩ）、パワーデバイス、化合物半導体発光デバイスである。対象とする不具合は不良（製造工程中で不具合になったもの）と故障（使用中か信頼性試験により不具合になったもの）である。対象読者は、半導体デバイスのプロセス・デバイス技術者、信頼性技術者、故障解析技術者、試験・解析・実験担当者、その他技術者全般、大学・大学院生と幅広い層を想定。そのため、基礎から最新情報までと幅広いレベルの内容を網羅している。また、それぞれの分野のある側面を気軽に知ることができるコラムを随所に入れた。さらに、日本科学技術連盟主催の「初級信頼性技術者」資格認定試験に出るような５択問題を第２～４章の末尾に３問ずつ掲載した。
目次 第１章　半導体デバイスの不良・故障解析技術の概要（故障解析の位置づけ；不良解析の位置づけ　ほか）；第２章　シリコン集積回路（ＬＳＩ）の故障解析技術（故障解析の手順と、この８年で新たに開発されたか普及した技術；パッケージ部の故障解析　ほか）；第３章　パワーデバイスの不良・故障解析技術（パワーデバイスの構造と製造プロセス；ウエハ製造プロセス起因のデバイス不良・故障と解析技術　ほか）；第４章　化合物半導体発光デバイスの不良・故障解析技術（化合物半導体発光デバイスの動作原理と構造；化合物半導体発光デバイスの信頼性（半導体レーザの例）　ほか）
ISBN(13)、ISBN 978-4-8171-9685-9　　 4-8171-9685-8
書誌番号 1113749832
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1113749832

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 ４階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2065698547 iLisvirtual
中央 書庫 549.8/291 一般書 利用可 - 2065764922 iLisvirtual

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