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【図書】 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎

Ｓｉから新材料への新展開 -- 設計技術シリーズ --
田中保宣 ／監修   -- 科学情報出版 -- ２０２１．１ -- ２１ｃｍ -- ２７９ｐ

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タイトル 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎
副書名 Ｓｉから新材料への新展開
シリーズ名 設計技術シリーズ
著者名等 田中保宣 ／監修  
出版 科学情報出版 ２０２１．１
大きさ等 ２１ｃｍ ２７９ｐ
分類 549.8
件名 パワーデバイス
注記 欧文タイトル：Ｂａｓｉｃ　Ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ　ｏｆ　Ｎｅｘｔ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｐｏｗｅｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ　ａｎｄ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
著者紹介 所属：（国研）産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター。経歴：大阪大学大学院で博士号を取得後、１９９６年に工業技術院電子技術総合研究所（当時）に入所。２００１年に（独）産業技術総合研究所（当時）に改組後、一貫してＳｉＣパワーデバイスのプロセス技術開発、デバイス構造設計・デバイス開発に携わり現在に至る。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
目次 第１章　パワーデバイスの基礎；第２章　ＳｉＣパワーデバイス；第３章　ＧａＮパワーデバイス；第４章　Ｇａ２Ｏ３パワーデバイス；第５章　ダイヤモンドパワーデバイス；第６章　ワイドバンドギャップ半導体のための実装技術
ISBN(13)、ISBN 978-4-904774-95-3　　 4-904774-95-7
書誌番号 1113848544

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 ４階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2068947734 iLisvirtual

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