集積回路プロセス技術シリーズ --
古川静二郎 /編著   -- 産業図書 -- 1987.10 -- 22cm -- 281p

資料詳細

タイトル SOI構造形成技術
シリーズ名 集積回路プロセス技術シリーズ
著者名等 古川静二郎 /編著  
出版 産業図書 1987.10
大きさ等 22cm 281p
分類 549.8
件名 半導体 , シリコン(半導体)
内容 各章末:文献
要旨 本書は、次の時代あるいは現在の時代でも、最も先端的な半導体技術の主要な要素技術のひとつといえるSOI(Silicon on Insulator)形成技術に関するものである。本書は、適度な重点主義の採用により個々の手法の原理、現状、問題点を深く把握でき、それでいて相互の手法の得失を理解でき、さらに応用例の現状も知ることができ、最終的に読者が自分で将来の本命技術を占えるように編集したつもりである。
目次 1. SOI構造形成技術概論;2. 線状加熱形帯域溶融再結晶化法;3. レーザビーム再結晶化法;4. 電子ビーム再結晶化法;5. 横方向固相方位成長法;6. 結晶性絶縁膜上へのエピタキシャル成長;7. 絶縁層埋込法;8. その他のSOI形成技術;9. デバイスへの応用
ISBN(13)、ISBN    4-7828-5625-3
書誌番号 1190261899

所蔵

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/69 一般書 利用可 - 0003584178 iLisvirtual