資料詳細

【図書】 半導体研究２８巻

超ＬＳＩ技術 -- １２（デバイスとプロセスその２） --
半導体研究振興会／〔編〕 -- 工業調査会 -- １９８８．８ -- ２７ｃｍ -- ３７３ｐ

タイトル	半導体研究２８巻
各巻タイトル	超ＬＳＩ技術１２（デバイスとプロセスその２）
著者名等	半導体研究振興会／〔編〕
出版	工業調査会１９８８．８
大きさ等	２７ｃｍ３７３ｐ
分類	549.8
件名	半導体 , 集積回路
内容	各章末：参考文献
要旨	第２８巻は、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭデバイス技術をはじめとして、酸化、エッチング等のプロセス技術、さらには表面、界面の解析法に至るまで、基礎から応用に亘って幅広く検討することを目的とした。
目次	１　メガビットＤＲＡＭ技術；２　ＣＭＯＳ・ＳＲＡＭプロセスデバイス技術；３　サブミクロン光リングラフィ；４　サブミクロンプロセスシミュレーション；５　薄いシリコン酸化膜の信頼性；６　ＥＣＲプラズマプロセス；７　多孔質シリコンと金属・シリコン界面；８　Ｘ線回折法によるシリコン表面・界面の解析；９　電子分光法による表面の評価と吸着；パネルディスカッション
ISBN(13)、ISBN	4-7693-1068-4
書誌番号	1190284594

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549/1/28	一般書	利用可	-	0004146247