化合物半導体の結晶成長と評価 -- その3 --
半導体研究振興会 /〔編〕   -- 工業調査会 -- 1988.8 -- 27cm -- 294p

資料詳細

タイトル 半導体研究 29巻
各巻タイトル 化合物半導体の結晶成長と評価 その3
著者名等 半導体研究振興会 /〔編〕  
出版 工業調査会 1988.8
大きさ等 27cm 294p
分類 549.8
件名 半導体
内容 各章末:参考文献
目次 1 GaAsIC用引上結晶の量産化技術の開発;2 磁場印化GaAs単結晶成長法;3 AlGaAs系の減圧有機金属気相成長;4 分子層エピタキシー;5 レーザトモグラフィによる化合物半導体結晶の評価;6 遠赤外光による化合物半導体の評価;7 金属・3―5化合物半導体接合の評価;8 高出力GaAsMMIC;9 タンネットダイオード;パネルディスカッション
ISBN(13)、ISBN    4-7693-1069-2
書誌番号 1190284595

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549/1/29 一般書 利用可 - 0004146255 iLisvirtual