資料詳細

【図書】 半導体研究３０巻

超ＬＳＩ技術 -- １３（デバイスとプロセスその３） --
半導体研究振興会／〔編〕 -- 工業調査会 -- １９８９．８ -- ２７ｃｍ -- ３４１ｐ

タイトル	半導体研究３０巻
各巻タイトル	超ＬＳＩ技術１３（デバイスとプロセスその３）
著者名等	半導体研究振興会／〔編〕
出版	工業調査会１９８９．８
大きさ等	２７ｃｍ３４１ｐ
分類	549.8
件名	半導体 , 集積回路
内容	各章末：参考文献
目次	１　大容量ＭＯＳＤＲＡＭプロセス技術―現状と今後の課題；２　メガヒットＤＲＡＭ回路技術；３　薄いシリコン酸化膜とその界面の構造；４　タングステン選択ＣＶＤ技術；５　微細Ａｌ配線の信頼性；６　微細コンタクト技術の基礎としての金属／半導体界面；７　選択エピタキシャル成長におけるファセットと積層欠陥の発生機構；８　集束イオンビーム技術；９　プラズマプロセスにおけるイオン・ラジカルの診断と制御
ISBN(13)、ISBN	4-7693-1074-9
書誌番号	1190311893

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549/1/30	一般書	利用可	-	0004146263