資料詳細

【図書】 半導体研究３１巻

化合物半導体の結晶成長と評価 -- その４ --
半導体研究振興会／〔編〕 -- 工業調査会 -- １９８９．８ -- ２７ｃｍ -- ２９６ｐ

タイトル	半導体研究３１巻
各巻タイトル	化合物半導体の結晶成長と評価その４
著者名等	半導体研究振興会／〔編〕
出版	工業調査会１９８９．８
大きさ等	２７ｃｍ２９６ｐ
分類	549.8
件名	半導体
内容	各章末：参考文献
目次	１　低炭素ＧａＡｓ単結晶育成法と結晶評価；２　マイクロ波を用いた非接触法によるＧａＡｓ評価技術；３　ＧａＡｓ・ＦＥＴしきい値と転位；４　３‐５族化合物のＭＯＣＶＤ成長と界面評価；５　有機金属化合物の物理化学的性質；６　ＲＨＥＥＤ振動法による薄膜結晶成長制御；７　通信・計測用ＧａＡｓＩＣ技術；８　ＧａＡｓＭＭＩＣのインピーダンスと能動デバイスの動作解析；９　ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合バイポーラトランジスタ
ISBN(13)、ISBN	4-7693-1075-7
書誌番号	1190311894
URL	https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1190311894

所蔵

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549/1/31	一般書	利用可	-	0004146271