結晶成長とウェーハ加工 -- アドバンストエレクトロニクスシリーズ -- エレクトロニクス材料・物性・デバイス
阿部孝夫 /著   -- 培風館 -- 1994.05 -- 22cm -- 361p

資料詳細

タイトル シリコン
副書名 結晶成長とウェーハ加工
シリーズ名 アドバンストエレクトロニクスシリーズ エレクトロニクス材料・物性・デバイス
著者名等 阿部孝夫 /著  
出版 培風館 1994.05
大きさ等 22cm 361p
分類 549.8
件名 シリコーン
注記 各章末:参考文献
要旨 本書は、現在までのシリコン結晶の大直径化およびデバイスプロセスにおける高度な品質管理技術の歴史を振り返りながら、単結晶シリコン製造法の実際とデバイスプロセス中に発生する種々の技術的問題について検証し、さらに今後予想されるギガビット級D‐RAMなどのデバイスに要求されるウェーハ開発のための技術に至るまでを詳述した解説書である。
目次 1 シリコン結晶と技術革新―過去から現在まで;2 なぜシリコン単結晶が必要か;3 シリコン単結晶成長;4 ウェーハ加工;5 シリコン融液からの結晶成長;6 添加不純物の偏析現象;7 軽元素の偏析と結晶中の振る舞い;8 酸素析出;9 熱処理と転位(スリップ)の発生;10 重金属の偏析と結晶中の振る舞い;11 点欠陥と二次欠陥;12 シリコンウェーハの表面;13 ULSIのための貼り合わせSOI技術
ISBN(13)、ISBN    4-563-03605-6
書誌番号 1194042129

所蔵

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/186 一般書 利用可 - 0008675180 iLisvirtual