資料詳細

【図書】 半導体研究４０巻

超ＬＳＩ技術 -- １８ --
半導体研究振興会／〔編〕 -- 工業調査会 -- １９９４．０８ -- ２７ｐｃｍ -- ３８４ｐ

タイトル	半導体研究４０巻
各巻タイトル	超ＬＳＩ技術１８
著者名等	半導体研究振興会／〔編〕
出版	工業調査会１９９４．０８
大きさ等	２７ｐｃｍ３８４ｐ
分類	549.8
件名	半導体
注記	各章末：参考文献
目次	１　サブ０．１μｍＭＯＳＦＥＴの特性と電気伝導機構；２　０．１ミクロンＣＭＯＳ技術；３　０．１μｍＭＯＳＦＥＴにおける短チャネル効果とその制御；４　ＮＡＮＤ型メモリ；５　薄膜ＳＯＩ　ＭＯＳＦＥＴ技術；６　ウェハ張り合わせＳＯＩ技術；７　ゲート酸化膜の構造と長期信頼性；８　界面制御による多層配線の信頼性；９　金属‐Ｓｉ界面の結晶学的・電子的構造とコンタクト抵抗
ISBN(13)、ISBN	4-7693-1129-X
書誌番号	1194057007
URL	https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1194057007

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549.8/1/40	一般書	利用可	-	2001052520