超LSI技術 -- 19 --
半導体研究振興会 /〔編〕   -- 工業調査会 -- 1995.08 -- 27cm -- 353p

資料詳細

タイトル 半導体研究 41巻
各巻タイトル 超LSI技術 19
著者名等 半導体研究振興会 /〔編〕  
出版 工業調査会 1995.08
大きさ等 27cm 353p
分類 549.8
件名 半導体
内容 各章末:参考文献
目次 1 ディープサブミクロンCMOS技術;2 不揮発性半導体メモリに要求される酸化膜の信頼性;3 光リソグラフィの高解像度化技術;4 ECRプラズマによる微細加工技術;5 高周波高密度プラズマの生成と高速・高選択比SiO2/Siエッチング;6 半導体プロセスにおけるチャージアップ;7 サブハーフミクロン多層配線技術;8 単結晶Al配線技術;9 Si(111)表面への水素原子吸着と平坦化
ISBN(13)、ISBN    4-7693-1140-0
書誌番号 1195044381

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/1/41 一般書 利用可 - 2004690829 iLisvirtual