資料詳細

【図書】 半導体研究４２

超ＬＳＩ技術 -- ２０ --
半導体研究振興会／〔編〕 -- 工業調査会 -- １９９６．０８ -- ２７ｃｍ -- ３３７ｐ

タイトル	半導体研究４２
各巻タイトル	超ＬＳＩ技術２０
著者名等	半導体研究振興会／〔編〕
出版	工業調査会１９９６．０８
大きさ等	２７ｃｍ３３７ｐ
分類	549.8
件名	半導体
内容	各章末：参考文献
要旨	本書は、超ＬＳＩシリーズの２０巻目にあたり、サブ０．１μｍ世代に向けて各プロセスを基礎から見直し、今後の開発方向を考えることを目的とした。
目次	１章　シリコンＬＳＩの将来；２章　イオン注入によるクォータミクロンＣＭＯＳ構造設計；３章　高精度プロセスモデリング；４章　０．３５～０．２５μｍ光リソグラフィ技術；５章　ＥＢ露光（図形一括露光とマルチビーム）の現状と課題；６章　化学増幅型レジストの現状と今後の展望；７章　Ｏ３酸化技術；８章　アルミニウム配線のエレクトロマイグレーション；９章　シリコンにおける重金属ゲッタリング
ISBN(13)、ISBN	4-7693-1148-6
書誌番号	1196046666
URL	https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1196046666

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549.8/1/42	一般書	利用可	-	2008394124