半導体工学シリーズ --
丹呉浩侑 /編   -- 培風館 -- 1998.11 -- 22cm -- 325p

資料詳細

タイトル 半導体プロセス技術
シリーズ名 半導体工学シリーズ
著者名等 丹呉浩侑 /編  
出版 培風館 1998.11
大きさ等 22cm 325p
分類 549.8
件名 半導体
内容 文献あり 索引あり
要旨 本書は、現在のLSIの基幹を成しているSi MOS LSIプロセスを中心に記述したものである。これからこの分野の勉強を始めようとする学生・大学院生、あるいは技術者のため、半導体プロセスに関する理論と技術をできる限り整理し、基礎的事項を学べるようにまとめた。まず、MOS LSIの基本素子であるMOSトランジスタの基本的知識とMOSトランジスタなどの素子の製作に必要なプロセスモジュールを概観した後、リングラフィ、エッチング、不純物導入技術などからプロセス評価技術まで、個々の要素プロセスの内容を体系的かつ詳細に記述している。
目次 1 基本素子の動作機構と製作プロセス;2 プロセスモジュールと製作プロセス;3 リソグラフィ;4 エッチング技術;5 絶縁膜技術;6 不純物導入技術;7 薄膜堆積技術;8 ウェーハ清浄化技術;9 結晶・ウェーハ技術;10 プロセスシミュレーション;11 半導体プロセス評価技術
ISBN(13)、ISBN    4-563-03298-0
書誌番号 1198069826
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1198069826

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/127 一般書 利用可 - 2016042415 iLisvirtual