大野英男 /編著   -- コロナ社 -- 1999.02 -- 22cm -- 265p

資料詳細

タイトル 半導体結晶成長
著者名等 大野英男 /編著  
出版 コロナ社 1999.02
大きさ等 22cm 265p
分類 549.8
件名 半導体
内容 文献あり 索引あり
要旨 本書は多様な半導体の結晶成長について、表面における原子・分子の動きをとらえることから、結晶成長とその技術、さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説したものである。
目次 1 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察;2 Si‐Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御;3 GaAsの単分子成長機構;4 III‐V族化合物半導体のエピタキシーと表面構造;5 III‐V族希薄磁性半導体の結晶成長と物性;6 II‐VI族半導体量子井戸の作製と光物性;7 ZnS系材料の分子線エピタキシー成長;8 垂直ブリッジマン法によるtwin‐free ZnSe単結晶の作製と評価;9 高純度ZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長と評価;10 磁性半導体Euカルコゲナイドの結晶作製;11 カルコパイライト型化合物の結晶成長
ISBN(13)、ISBN    4-339-00704-8
書誌番号 1199000322

所蔵

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/179 一般書 利用可 - 2018682179 iLisvirtual