古川静二郎,雨宮好仁 /編著,     -- 丸善 -- 1991.7 -- 22cm -- 311p

資料詳細

タイトル シリコン系ヘテロデバイス
著者名等 古川静二郎,雨宮好仁 /編著,    
出版 丸善 1991.7
大きさ等 22cm 311p
分類 549.8
件名 シリコン(半導体)
内容 各章末:文献
要旨 本書は、ヘテロ構造によるSi系デバイスの高性能化を目標に、そのための基礎理論からヘテロ材料・製造プロセス・最新のデバイス特性にいたるまでを詳述したものである。近年の半導体デバイス・集積回路のめざましい進歩は、シリコンに負うところが非常に大きく、その状況は今後も変わらないと考えられ、シリコンの枠内で新しい分野を開拓することが強く望まれている。本書はそのような観点でまとめられた初めてのものであり、Si系デバイスの研究者・技術者にとって格好の書である。
目次 第1章 シリコン系ヘテロ接合デバイスの意義と研究動向;第2章 半導体ヘテロ接合の性質;第3章 シリコンバイポーラトランジスタの高速化;第4章 シリコンヘテロ材料に要求される性質;第5章 SiCヘテロエミッタ;第6章 非晶質半導体系ヘテロエミッタ;第7章 シリコン酸化物ヘテロエミッタ;第8章 Si‐Ge系ヘテロ構造;第9章 バンドギャップ縮小効果と擬似ヘテロ接合デバイス;第10章 新しいヘテロ材料の可能性とその展望;第11章 GaAs系HBTの最近の進歩
ISBN(13)、ISBN    4-621-03611-4
書誌番号 1190385237
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1190385237

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/101 一般書 利用可 - 0004659937 iLisvirtual