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【図書】
シリコン系ヘテロデバイス
古川静二郎,雨宮好仁
/編著,
--
丸善 -- 1991.7 -- 22cm -- 311p
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資料詳細
タイトル
シリコン系ヘテロデバイス
著者名等
古川静二郎,雨宮好仁
/編著,
出版
丸善 1991.7
大きさ等
22cm 311p
分類
549.8
件名
シリコン(半導体)
内容
各章末:文献
要旨
本書は、ヘテロ構造によるSi系デバイスの高性能化を目標に、そのための基礎理論からヘテロ材料・製造プロセス・最新のデバイス特性にいたるまでを詳述したものである。近年の半導体デバイス・集積回路のめざましい進歩は、シリコンに負うところが非常に大きく、その状況は今後も変わらないと考えられ、シリコンの枠内で新しい分野を開拓することが強く望まれている。本書はそのような観点でまとめられた初めてのものであり、Si系デバイスの研究者・技術者にとって格好の書である。
目次
第1章 シリコン系ヘテロ接合デバイスの意義と研究動向;第2章 半導体ヘテロ接合の性質;第3章 シリコンバイポーラトランジスタの高速化;第4章 シリコンヘテロ材料に要求される性質;第5章 SiCヘテロエミッタ;第6章 非晶質半導体系ヘテロエミッタ;第7章 シリコン酸化物ヘテロエミッタ;第8章 Si‐Ge系ヘテロ構造;第9章 バンドギャップ縮小効果と擬似ヘテロ接合デバイス;第10章 新しいヘテロ材料の可能性とその展望;第11章 GaAs系HBTの最近の進歩
ISBN(13)、ISBN
4-621-03611-4
書誌番号
1190385237
URL
https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1190385237
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所蔵
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1
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所蔵館
所蔵場所
別置
請求記号
資料区分
状態
取扱
資料コード
中央
書庫
549.8/101
一般書
利用可
-
0004659937
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