資料詳細

【図書】 バルク結晶成長技術

アドバンストエレクトロニクスシリーズ -- エレクトロニクス材料・物性・デバイス
干川圭吾／編著 -- 培風館 -- １９９４．０５ -- ２２ｃｍ -- ３６７ｐ

タイトル	バルク結晶成長技術
シリーズ名	アドバンストエレクトロニクスシリーズエレクトロニクス材料・物性・デバイス
著者名等	干川圭吾／編著
出版	培風館１９９４．０５
大きさ等	２２ｃｍ３６７ｐ
分類	549.8
件名	半導体
注記	各章末：参考文献
目次	第１編　シリコン結晶成長技術（シリコン結晶成長技術の進展；ＣＺ法シリコン結晶中の欠陥核形成；酸素濃度制御と磁界技術；連続充填引上げ法；二層引上げ法；融液対流とシミュレーション技術）；第２編　化合物半導体結晶成長技術（液体封止引上げ法；水平ブリッジマン法；垂直ブリッジマン法；２‐６族結晶成長法）；第３編　酸化物結晶成長技術（引上げ法；融液成長法；溶液成長法；対流、熱流シミュレーション）
ISBN(13)、ISBN	4-563-03604-8
書誌番号	1194042125
URL	https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1194042125

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549.8/185	一般書	利用可	-	0008675139