アドバンストエレクトロニクスシリーズ -- エレクトロニクス材料・物性・デバイス
干川圭吾 /編著   -- 培風館 -- 1994.05 -- 22cm -- 367p

資料詳細

タイトル バルク結晶成長技術
シリーズ名 アドバンストエレクトロニクスシリーズ エレクトロニクス材料・物性・デバイス
著者名等 干川圭吾 /編著  
出版 培風館 1994.05
大きさ等 22cm 367p
分類 549.8
件名 半導体
注記 各章末:参考文献
目次 第1編 シリコン結晶成長技術(シリコン結晶成長技術の進展;CZ法シリコン結晶中の欠陥核形成;酸素濃度制御と磁界技術;連続充填引上げ法;二層引上げ法;融液対流とシミュレーション技術);第2編 化合物半導体結晶成長技術(液体封止引上げ法;水平ブリッジマン法;垂直ブリッジマン法;2‐6族結晶成長法);第3編 酸化物結晶成長技術(引上げ法;融液成長法;溶液成長法;対流、熱流シミュレーション)
ISBN(13)、ISBN    4-563-03604-8
書誌番号 1194042125
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1194042125

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.8/185 一般書 利用可 - 0008675139 iLisvirtual