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【図書】 最新ＶＬＳＩの基礎

タウア ／著, ニン ／著, 芝原健太郎 ／監訳, 竹内潔 ／〔ほか〕訳, 　 , 　   -- 丸善 -- ２００２．０９ -- ２１ｃｍ -- ６１０ｐ

資料詳細

タイトル 最新ＶＬＳＩの基礎
著者名等 タウア ／著, ニン ／著, 芝原健太郎 ／監訳, 竹内潔 ／〔ほか〕訳, 　 , 　  
出版 丸善 ２００２．０９
大きさ等 ２１ｃｍ ６１０ｐ
分類 549.7
件名 集積回路
注記 Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　ｄｅｖｉｃｅｓ．
内容 文献あり　索引あり
要旨 本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎～応用までを展開。
目次 デバイス物理の基礎；ＭＯＳＦＥＴデバイス；ＣＭＯＳデバイス設計；ＣＭＯＳ性能因子；バイポーラデバイス；バイポーラデバイス設計；バイポーラ性能因子；ＣＭＯＳプロセスフロー；最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要；実効状態密度；アインシュタインの関係式；なだれ降伏の開始条件；サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解；弱反転での量子学解；エミッタ抵抗とベース抵抗の決定；真性ベース抵抗
ISBN(13)、ISBN 　　 4-621-07083-5
書誌番号 1102059472
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1102059472

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