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【図書】 半導体デバイスの基礎 中

ダイオードと電界効果トランジスタ --
Ｂ．Ｌ．アンダーソン ／著, Ｒ．Ｌ．アンダーソン ／著, 樺沢宇紀 ／訳   -- シュプリンガー・ジャパン -- ２００８．５ -- ２１ｃｍ -- ｐ３００～６８９

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タイトル 半導体デバイスの基礎 中
各巻タイトル ダイオードと電界効果トランジスタ
著者名等 Ｂ．Ｌ．アンダーソン ／著, Ｒ．Ｌ．アンダーソン ／著, 樺沢宇紀 ／訳  
出版 シュプリンガー・ジャパン ２００８．５
大きさ等 ２１ｃｍ ｐ３００～６８９
分類 549.8
件名 半導体
注記 Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄｅｖｉｃｅｓ．／の翻訳
注記 索引あり
内容紹介 実用的・総合的な半導体デバイス物理の教科書。各種半導体デバイスの動作に関する基礎事項を、徹底的に平易に解説する。本巻では、ダイオードと電界効果トランジスタについて解説。
要旨 本書は半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書である。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では、前半において、半導体デバイスの基本中の基本であるダイオード（主としてｐｎ接合）の動作原理と動作特性について、通常の解説では省かれている誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では半導体を用いた代表的な３端子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして、現実的な微細素子の特性に至るまでを論じ、ＣＭＯＳ回路やメモリー（記憶装置）への応用についても簡単に紹介する。
目次 第２部　ダイオード（理想的なｐｎホモ接合；一般のダイオード；ダイオードに関する補足）；第３部　電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（ＭＯＳＦＥＴ；ＦＥＴに関する追加的な考察；ＭＯＳデバイスに関する補足）
ISBN(13)、ISBN 978-4-431-10029-4　　 4-431-10029-6
書誌番号 1108037539
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1108037539

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中央 ４階自然科学 Map 549.8 一般書 利用可 - 2040883196 iLisvirtual

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