資料詳細

【図書】 半導体デバイスのモデリング

物理モデルと素子特性の解析 --
Ｃ．Ｍ．スノーデン／著, 浜口智尋，谷口研二／訳, 　 , 　 -- 現代工学社 -- １９８８．４ -- ２２ｃｍ -- １９３ｐ

タイトル	半導体デバイスのモデリング
副書名	物理モデルと素子特性の解析
著者名等	Ｃ．Ｍ．スノーデン／著, 浜口智尋，谷口研二／訳, 　 ,
出版	現代工学社１９８８．４
大きさ等	２２ｃｍ１９３ｐ
分類	549.8
件名	半導体
注記	Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｄｅｖｉｃｅ　ｍｏｄｅｌｌｉｎｇ．／の翻訳
内容	各章末：参考文献
要旨	本書はデバイスの物理モデルを理解し、それを数式化し、いかに解くかということに重点をおいた入門書である。
目次	第１章　序論；第２章　半導体中のキャリア輸送方程式；第３章　半導体基本方程式の解法―解析モデル；第４章　半導体方程式の数値的解法―有限差分法；第５章　半導体方程式の数値解法―有限要素法；第６章　半古典法な輸送方程式―ホットエレクトロン効果；第７章　ヘテロ接合素子のシミュレーション；第８章　モンテカルロ法；第９章　量子力学的効果―量子輸送理論入門；付録　電流連続の式の数値解法
ISBN(13)、ISBN	4-87472-138-9
書誌番号	1190277239
URL	https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1190277239

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所蔵館	所蔵場所	別置	請求記号	資料区分	状態	取扱	資料コード
中央	書庫		549.8/150	一般書	利用可	-	0004319273