津屋英樹 /著   -- 丸善 -- 1995.03 -- 22cm -- 313p

資料詳細

タイトル 超LSIプロセス制御工学
著者名等 津屋英樹 /著  
出版 丸善 1995.03
大きさ等 22cm 313p
分類 549.7
件名 集積回路
注記 各章末:参考文献
要旨 本書は、材料・プロセス技術を欠陥制御という観点から述べたものである。欠陥の本質をおさえた上で、基本的にどんな問題が潜んでいるのか、これまではどう克服されてきたか、さらに今後どんな課題があるのかを多くの具体例を示しながら解説している。また、LSIに関わる各技術を個々のものとしてではなくスルー技術として捉えており、巨視点な思考の必要性を示唆している。材料・プロセス・デバイスの各分野、さらに量産現場に携わる技術者・研究者にとって必読の書である。
目次 デバイス特性と結晶欠陥;デバイス構造に起因する欠陥とその制御;プロセスに起因する欠陥とその制御;シルコン結晶基板に起因する欠陥とその制御;ゲッタリング技術;シリコン結晶の不純物・欠陥測定評価技術;シリコン集積回路デバイスのさらなる発展へ向けて
ISBN(13)、ISBN    4-621-04047-2
書誌番号 1195016026
URL https://opac.lib.city.yokohama.lg.jp/winj/opac/switch-detail.do?bibid=1195016026

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所蔵館 所蔵場所 別置 請求記号 資料区分 状態 取扱 資料コード
中央 書庫 549.7/229 一般書 利用可 - 2018698938 iLisvirtual